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当前位置：今年4月，惠普实验室声称“发现”了忆阻器。目前，位于加州Palo Alto的惠普实验室表示，他们正在研究如何控制忆阻器材料，以改变其内阻，进一步提高响应速度。更为长远的规划是，希望能为这一材质加快开发商业标准芯片，从而能在明年为其RRAM（resistive random-access memory 电阻式随机存取记忆体）所用。
Axon Technologies公司提出了一种称之为PMC（Programmable Metallization Cell 可编程金属单元）的记忆体装置。PMC是一种依靠电阻变化，状态稳定的记忆体技术。它同闪存这类传统设备相比功耗更低。业界认为PMC的应用范围极广，在节能计算、个人娱乐和移动通信等应用上都会表现得很理想。 PMC由亚利桑那州立大学开发。Axon的稳定记忆体技术正在朝着离散存储器和嵌入存储器双方向发展。
